Vishay超薄IGBTMOSFET驱动

　　器件的高度为2.5 mm，具有高隔离电压，可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL 120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小，高度为2.5mm，最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点，器件还具有高隔离电压，VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V，非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转，例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。

　　VOL 120的高度比标准DIP封装的器件低 0%，能节省空间，并实现类似电磁炉面，以及民用太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用。VOL 120不仅具有优异的隔离能力，还具有当今最佳的电气性能。器件的过压锁定功能可保护IGBT/MOSFET，避免出现故障，对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。

　　VOL 120的工作损耗电流最大为2.5mA，在要求高频工作的电源应用里是很实用的选择。器件的典型延迟小于250ns，典型上升和下降时间为100ns，极为适合要求IGBT和MOSFET快速开关的应用。

　　今天推出的驱动器可在15V～ 2V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。VOL 120的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020 1级，仓储寿命不限。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

　　VOL 120现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。