新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础

瑞萨电子发表2款具备高效能之绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括600V50A的RJH60D5B与600V 7A的RJH60D7B。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置，适用于例如电焊机、变频器、太阳能发电机的功率调节器(功率转换器) 等处理高电压及大电流之设备。新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础，权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗，且提高短路耐受能力。

新款IGBT的主要功能：

降低饱和电压，D5B/D7B为1.6 V，降低12%，以提供更优异的电源效率。独家超薄晶圆技术可将新版产品的饱和电压从早期瑞萨同等产品的1.8 V(典型值)降低至1.6 V(典型值)，如此可降低功率损耗并有助于提升效率。

提高工作频率，D5B/D7B最高工作频率可达50KHZ,相比与早期的F5/F7的 0KHZ提高了60%。

近年来，于环保与其他因素之考量下，促使高能源效率之电子设备需求增加，并持续推动太阳能与风力发电等洁净能源，针对高电压及大电流之设备也持续努力提升其能源效率，例如太阳能逆变器、大电流变频器控制马达、大功率的空调压缩机驱动板。为了大幅降低上述设备之直、交流转换损耗，高效能的IGBT产品需求于是增加。但是，这必须权衡其饱和电压，这个参数是在大电流操作下达成低损耗以及高短路电流耐受能力的关键。以往并无法兼得低损耗与高达约10微秒的短路耐受能力，一般认为这对于马达驱动器等应用都是不可或缺的，为因应此需求，瑞萨开发出上述高效能IGBT。

资料下载：详见官网

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