技术领先于国内同行

苏州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圆划片机，该激光划片机应用于硅晶圆、玻璃披覆（玻钝）二极管等半导体晶圆的划片和切割，技术领先于国内同行，成为激光划片行业一支新秀。

与同类机型相比，苏州天弘激光股份有限公司选用国际领先的工业化级的1064nm激光器作为光源，通过扩束聚焦后获得小于50um的聚焦光斑，辅以高精度的两维直线电机工作台及直驱旋转平台，专用 CCD监视定位。采用红外激光作为光源切割硅晶圆，具有最佳的切割性价比，切割速度达到160mm/s，无机械应力作用，晶粒切割成品率高，切割后二极管芯片电学性能参数优于砂轮刀片切割等特点。

激光加工为无接触加工，激光能量通过聚焦后获得高能量密度，直接将硅片气化，所加工出来的硅片具有光滑的边缘和最低限度的热影响。加之激光能被大多数硅材料有效地吸收和具有良好的聚焦性能，因此其可在很小的空间区域进行精细微加工，从而有着非常高的研究价值和广阔的应用前景。

用激光对晶圆进行精密划片是晶圆-尤其是易碎的单晶半导体晶圆如硅晶圆刀片机械划片裂片的替代工艺。激光能对所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和锗(Ge)的晶圆进行快速划片。硅晶圆片，切口宽度均小于 0微米，切口边缘平直、精准、光滑，没有崩裂，尤其硅晶圆更是如此。电力电子器件的晶圆价格昂贵，采用激光划片工艺使得成品率更高，并因为损坏的芯片非常少而获得更高的成品率。在巿场需求驱动下，裸片成本不断降低，尺寸越来越小。划缝宽度从100微米降到 0微米，采用激光划片工艺后，划片槽宽度进一步降低到20微米。激光划片工艺能够提高产能。目前，激光划片速度能够达到160mm/s甚至更高，设备耗材少。

相对于机械式划片工艺，激光工艺具有更多优点。这些优点包括消耗成本低、维护费用少、产能高、晶圆面积利用率高等。激光工艺更易于进行自动化操作，从而降低人力成本。激光技术还有很大的待开发潜能，因而该工艺将会继续发展。我们预言激光工艺将在单位晶圆裸片数量和缩短投资回收期方面有进一步的发展。

苏州天弘激光在参考国外激光划片机设计理念上，通过与国内半导体厂商合作，共同开发出更适合于硅片激光划片的激光晶圆划片机，天弘激光选用国际领先的工业化级的1064nm激光器作为光源，通过扩束聚焦后获得小于50um的聚焦光斑，辅以高精度的两维直线电机工作台及直驱旋转平台，专用 CCD监视定位。采用红外激光作为光源切割硅晶圆，具有最佳的切割性价比，切割速度达到160mm/s，无机械应力作用，晶粒切割成品率高，切割后二极管芯片电学性能参数优于砂轮刀片切割等特点。
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