美国科锐投产采用SiC的1200V耐压功

　　美国科锐（Cree）宣布，已经投产了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐压功率MOSFET“CMF20120D”（英文发布资料）。科锐是继2010年12月的罗姆之后第二家宣布投产SiC功率MOSFET的企业。不过，科锐在发布资料中称自己“是业界第一个投产的”。目标用途包括，太阳能发电用逆变器装置、高电压输出DC-DC转换器装置以及马达驱动用逆变器装置等。

　　漏极电流方面，连续通电时最大为 A（25℃工作时），脉冲通电时最大为78A（25℃工作时）。导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有80mΩ（标准值）。另外，即使周围温度上升至+125℃，导通电阻也只有95mΩ（标准值），温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅90.8nC（标准值）。因此，容易提高开关频率。封装采用TO-247- 。

　　科锐表示，如果使用SiC功率MOSFET，与使用Si功率MOSFET的电源装置相比，开关损失最大可削减50％。另外，与采用Si材料IGBT的电源装置相比，可将装置整体的转换效率最大改善2％，而且能将开关频率提高至2～ 。如果提高开关频率，能够缩小外置部件，因此可削减电源装置整体的体积和重量。

　　德国研究机构弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）在试制采用投产的SiC功率MOSFET的7kW输出太阳能发电用逆变器装置时，获得了最高97.81％的转换效率。采用+1200V耐压IGBT构成相同输出的逆变器装置时，最大转换效率为95.89％。通过采用SiC功率MOSFET，将转换效率提高了1.92个百分点。